一．三极管的基础知识
双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 IC 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小，所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。
如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流IB，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流IC，有IC /IB=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。
场效应管
场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，尤其用场效管做整个电子设备的输入级。
场效应管与晶体管的比较
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
集成电路
在选用某种类型的集成电路之前，应先认真阅读产品说明书或有关资料，全面了解该集成电路的功能、电气参数、外形封装（包括引脚分布情况）及相关外围电路。集成电路的使用环境、参数等指标不应超过厂家所规定的极限参数。
选用集成电路时，还应仔细观察其产品型号是否清晰，外形封装是否规范等，以免购到假货。 |